La división de semiconductores de Siemens ha anunciado el diseño de una nueva generación de memoria RAM, cuyas características son sorprendentes.

La RAM ferro-estática (FeRAM) es un nuevo tipo de memoria no volátil (no se pierde la información), de alta velocidad y coste económico. Vamos, que lo tiene todo. La tecnología detrás de la FeRAM es muy similar a la que hay detrás de la DRAM convencional, pero la diferencia estriba en la utilización de materiales ferro-electricos para su construcción, lo que le otorga la capacidad de retener la información en ausencia de un suplemento contínuo de energía eléctrica.

Las caracteristicas técnicas de este tipo de memoria son bastante sorprendentes. El voltaje necesario para grabar un dato, que en el caso de otras memorias no volátiles como Flash o EEPROM es algo elevado, en este caso es incluso menor que la memoria DRAM convencional, siendo del mismo rango que la necesaria para la memoria SRAM (la memoria de alta velocidad utilizada para caches). Asímismo, el tiempo de escritura, que en Flash o EEPROM es del orden de milisegundos, para la FeRAM es del orden de nanosegundos, igual que las memorias DRAM y SRAM. El tiempo de acceso es, de hecho, de hasta 40 ns, situándola al mismo nivel que la memoria DRAM que todos tenemos en nuestros ordenadores.

El gran logro aquí es que la memoria FeRAM puede mantener la información sin suministro eléctrico por más de diez años, lo cual es más que suficiente para cualquiera.

Sólo nos resta hablar del coste de esta memoria, y lo lógico sería esperar un coste muy alto (porque sino no tiene defectos). Pero nada más lejos de la realidad. Se espera un coste de entre 1 y 1.5 veces superior a la memoria DRAM, lo cual la situa como una memoria muy barata, ideal para portátiles, cámaras digitales y otros aparatos de consumo electrónicos.

ÚLTIMA REVISIÓN EN JULIO DE 1999